由青銅劍技術(shù)和基本半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)聯(lián)合研發(fā)的驅(qū)動(dòng)板BSRD-2427，是一款專門針對(duì)34mm碳化硅MOSFET半橋模塊設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、強(qiáng)適應(yīng)性等特點(diǎn)，適用于碳化硅逆變弧焊機(jī)、碳化硅感應(yīng)加熱等應(yīng)用。
產(chǎn)品特點(diǎn)
功率器件最高電壓1200V
單通道驅(qū)動(dòng)功率1W，峰值電流±10A
絕緣電壓高達(dá)4000Vac
集成隔離DC/DC電源
集成原邊/副邊電源欠壓保護(hù)
集成米勒鉗位
配套零件
BSRD-2427所應(yīng)用到的雙通道隔離變壓器、單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片、正激DCDC電源芯片三款零件均為公司自主研發(fā)產(chǎn)品，客戶可分別采購(gòu)進(jìn)行整體方案的設(shè)計(jì)。
隔離驅(qū)動(dòng)專用正激DC-DC芯片BTP1521x
產(chǎn)品特點(diǎn)
輸出功率可達(dá)6W
適用于給隔離驅(qū)動(dòng)芯片副邊電源供電
正激電路（H橋逆變或推挽逆變）
軟啟動(dòng)時(shí)間1.5ms
工作頻率可編程，最高工作頻率可達(dá)1.3MHz
VCC供電電壓可達(dá)24V
VCC欠壓保護(hù)點(diǎn)4.7V
工作環(huán)境-40~125℃
芯片過溫保護(hù)點(diǎn)150℃，過溫恢復(fù)點(diǎn)120℃
體積封裝小
應(yīng)用推薦電路圖
DC1和DC2接變壓器原邊線圈，副邊二極管橋式整流，組成開環(huán)的全橋拓?fù)洌℉橋逆變），輸出功率可達(dá)6W，輸出經(jīng)過電阻和穩(wěn)壓管分壓后構(gòu)成正負(fù)壓，供碳化硅MOSFET使用，適用于給隔離驅(qū)動(dòng)芯片副邊電源供電。
BTP1521推薦電路（功率6W情況下）
當(dāng)副邊需求功率大于6W時(shí)，可以使用推挽逆變拓?fù)洌ㄟ^DC1和DC2端控制外接的MOSFET增加輸出功率。
BTP1521推薦電路（功率大于6W情況下）
雙通道隔離變壓器TR-P15DS23-EE13
產(chǎn)品特點(diǎn)
TR-P15DS23-EE13是驅(qū)動(dòng)器專用的隔離電源變壓器
采用EE13骨架（磁芯材質(zhì)鐵氧體）
可實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)器隔離供電，傳輸功率可達(dá)4W（每通道2W）
BTP1521F搭配隔離變壓器TR-P15DS23-EE13典型應(yīng)用介紹
全橋式拓?fù)?，副邊兩路輸出，單路輸出功率可達(dá)2W，總輸出功率4W
輸入電壓15V，副邊全橋整流輸出全電壓（VISO-COM=23V）
輸出全電壓通過4.7V的穩(wěn)壓管，將全電壓拆分成正電壓（VISO-VS=18V），負(fù)電壓（COM-VS=-4V）
BTP1521F的OSC管腳通過電阻R5=42.2kΩ接地，設(shè)置工作頻率為F=477kHz
工作頻率可以通過RF-set電阻設(shè)置，本公式提供了RF-set(kΩ)和F(kHz)之間的關(guān)系（典型值）：
隔離驅(qū)動(dòng)BTD5350MCWR
典型應(yīng)用介紹
原方VCC供電電壓15V
BTD5350xx是電壓型輸入的電容隔離的驅(qū)動(dòng)芯片，輸入INx是高阻抗引腳，如果輸入信號(hào)PCB布線不合理，容易導(dǎo)致輸入信號(hào)受到干擾。為了使芯片的輸入端表現(xiàn)為電流源特征，建議在PWM輸入接電阻R1=3kΩ到地。如果PWM電平為15V，則PWM線上的電流約為5mA，目的是使得PWM信號(hào)的線路上能產(chǎn)生足夠的電流，可以避免芯片輸入IN腳受到干擾，同時(shí)靠近芯片IN腳接濾波電容C1=100pF到地
副方電源VISO接+18V，COM接-4V，G連接到主功率板上的門極電阻
驅(qū)動(dòng)芯片米勒鉗位Clamp連接到主功率板上碳化硅MOSFET門極
典型半橋應(yīng)用介紹---防橋臂直通互鎖設(shè)計(jì)
PWM1信號(hào)經(jīng)過RC網(wǎng)絡(luò)連接到IN1+和IN2-，PWM2信號(hào)經(jīng)過RC網(wǎng)絡(luò)連接到IN2+和IN1-，進(jìn)行PWM信號(hào)輸入互鎖，當(dāng)PWM1和PWM2同時(shí)為高電平時(shí)，驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350MCWR副邊同時(shí)輸出低電平，防止橋臂直通。
適配模塊推薦
BSRD-2427驅(qū)動(dòng)板可適配基本半導(dǎo)體34mm封裝全碳化硅MOSFET半橋模塊，該模塊采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
產(chǎn)品特點(diǎn)
采用基本半導(dǎo)體第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，性能顯著提升
低導(dǎo)通電阻，高溫下RDS(on)表現(xiàn)優(yōu)異，導(dǎo)通損耗更低，穩(wěn)定性強(qiáng)
低開關(guān)損耗，支持高頻運(yùn)行，功率密度大幅提升
高工作結(jié)溫，Tvj=175℃
